Semi-conducteurs. Page 179 sur 485. Avtronic

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Affichage 21 articles: IRFIBC30G à IRFP22N60K (Page 179 sur 485)

Transistor IRFIBC30G

7.11€ TTC

12 En stock

Transistor IRFIBC30G N-FET 600V 2.5A 35W 2.2R(1.5A). HEXFET Power MOSFET. Switching. td(on):11nS. td(off):35nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFIBC40G

7.28€ TTC

47 En stock

Transistor IRFIBC40G N-FET 600V 3.5A 40W 1.2R(2.2A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.2 A. Rds (Ohms): 1.2.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFIZ44N

4.70€ TTC

112 En stock

Transistor IRFIZ44N N-MOS 55V 31A 45W <0.024R(22A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.024.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFL024N

2.58€ TTC

181 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 2.8A. Puissance: 2.1W. Rds: 0.075 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFL110

2.91€ TTC

2783 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.5A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 0.54 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFL210

2.41€ TTC

57 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 200V. Courant de Drain maxi: 0.96A. Puissance: 2W. Rds: 1.5 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFL4105PBF

2.41€ TTC

152 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 3.7A Idm:30Ap 2.1W. Résistance passante RDSon : 0.045 Ohms (3A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFL9110

2.69€ TTC

88 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.1A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 1.2 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP044N

6.72€ TTC

98 En stock

Transistor IRFP044N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(29A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 29 A. Rds (Ohms): 0.02. Puissance: 120 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP048

12.54€ TTC

19 En stock

Transistor IRFP048 N-MOS 60V 70A 190W<0.018R(44A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.018. Puissance: 190 W

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP048NPBF

7.11€ TTC

83 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 64A/210Ap 140W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (45A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP054

9.97€ TTC

37 En stock

Transistor IRFP054 N-MOS 60V 70A 230W<0.014R(54A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 54 A. Rds (Ohms): 0.014. Puissance: 230 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP054N

7.50€ TTC

108 En stock

Transistor IRFP054N N-MOS 55V 81A 170W<0.012R(43A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 81 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.012. Puissance: 170 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP064N

7.28€ TTC

142 En stock

Transistor IRFP064N N-MOS 55V 110A/390Ap. 200W 0.008R(59A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.008.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140

7.62€ TTC

74 En stock

Transistor IRFP140 N-MOS 100V 31A 180W 0.77R(19A). HEXFET TO-247AC. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9140. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.77.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140A

7.84€ TTC

27 En stock

Transistor IRFP140A N-MOS 100V 31A 131W 0.51R(15.5. HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Rds (Ohms): 0.51. Puissance: 131 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140N

6.61€ TTC

61 En stock

Transistor IRFP140N N-MOS 100V 33A 140W 0.52R(16A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.52. Puissance: 140 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP150

8.06€ TTC

49 En stock

Transistor IRFP150 N-MOS 100V 41A 230W 0.55R(25A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 230 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP150N

6.33€ TTC

39 En stock

Transistor IRFP150N N-MOS 100V 42A 160W 0.36R(22A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.36. Puissance: 160 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP22N50A

16.91€ TTC

32 En stock

Transistor IRFP22N50A N-MOS 500V 22A/88Ap. 277W 0.23R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.23.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP22N60K

19.26€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP22N60K N-MOS 600V 22A 370W 0.24R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.24.

Tarifs dégressifs

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Transistor IRFIBC30G

Transistor IRFIBC30G N-FET 600V 2.5A 35W 2.2R(1.5A). HEXFET Power MOSFET. Switching. td(on):11nS. td(off):35nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A.

Transistor IRFIBC40G

Transistor IRFIBC40G N-FET 600V 3.5A 40W 1.2R(2.2A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.2 A. Rds (Ohms): 1.2.

Transistor IRFIZ44N

Transistor IRFIZ44N N-MOS 55V 31A 45W <0.024R(22A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.024.

Transistor IRFL024N

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 2.8A. Puissance: 2.1W. Rds: 0.075 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223.

Transistor IRFL110

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.5A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 0.54 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

Transistor IRFL210

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 200V. Courant de Drain maxi: 0.96A. Puissance: 2W. Rds: 1.5 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223.

Transistor MOSFET canal-N IRFL4105PBF

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 3.7A Idm:30Ap 2.1W. Résistance passante RDSon : 0.045 Ohms (3A)

Transistor IRFL9110

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.1A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 1.2 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

Transistor IRFP044N

Transistor IRFP044N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(29A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 29 A. Rds (Ohms): 0.02. Puissance: 120 W

Transistor IRFP048

Transistor IRFP048 N-MOS 60V 70A 190W<0.018R(44A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.018. Puissance: 190 W

Transistor MOSFET canal-N IRFP048NPBF

Transistor MOSFET canal-N 55V 64A/210Ap 140W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (45A)

Transistor IRFP054

Transistor IRFP054 N-MOS 60V 70A 230W<0.014R(54A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 54 A. Rds (Ohms): 0.014. Puissance: 230 W

Transistor IRFP054N

Transistor IRFP054N N-MOS 55V 81A 170W<0.012R(43A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 81 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.012. Puissance: 170 W

Transistor IRFP064N

Transistor IRFP064N N-MOS 55V 110A/390Ap. 200W 0.008R(59A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.008.

Transistor IRFP140

Transistor IRFP140 N-MOS 100V 31A 180W 0.77R(19A). HEXFET TO-247AC. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9140. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.77.

Transistor IRFP140A

Transistor IRFP140A N-MOS 100V 31A 131W 0.51R(15.5. HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Rds (Ohms): 0.51. Puissance: 131 W

Transistor IRFP140N

Transistor IRFP140N N-MOS 100V 33A 140W 0.52R(16A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.52. Puissance: 140 W

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Transistor IRFP150 N-MOS 100V 41A 230W 0.55R(25A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 230 W

Transistor IRFP150N

Transistor IRFP150N N-MOS 100V 42A 160W 0.36R(22A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.36. Puissance: 160 W

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Transistor IRFP22N50A N-MOS 500V 22A/88Ap. 277W 0.23R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.23.

Transistor IRFP22N60K

Transistor IRFP22N60K N-MOS 600V 22A 370W 0.24R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.24.

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